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MC100EPT21DR2G  3.3V Differential LVPECL/LVDS/CML to LVTTL/LVCMOS Translator
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功率运算放大器
产品详情
型号MC100EPT21DR2G
封装8-SOIC N
品牌ON Semiconductor
描述3.3V Differential LVPECL/LVDS/CML to LVTTL/LVCMOS Translator
 规格书点击查看

   -->  https://weibo.com/u/6152971368


   -->  https://user.qzone.qq.com/4321518

     -->  https://yxdz-ic.ic.net.cn/userHomePage/about.php

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MC100EPT21DR2G Datasheet, PDF

Electronic Manufacturer Part no Datasheet Electronics Description
ON Semiconductor
ON Semiconductor		 MC100EPT21DR2G    3.3V Differential LVPECL/LVDS/CML to LVTTL/LVCMOS Translator
MC100EPT21DR2G    3.3V Differential LVPECL/LVDS/CML to LVTTL/LVCMOS Translator
ON Semiconductor
ON Semiconductor		 MC100EPT21DG    3.3V Differential LVPECL/LVDS/CML to LVTTL/LVCMOS Translator
MC100EPT21DG    3.3V Differential LVPECL/LVDS/CML to LVTTL/LVCMOS Translator
MC100EPT21DR2    Differential LVPECL to LVTTL Translator
MC100EPT21DR2    3.3V Differential LVPECL/LVDS/CML to LVTTL/LVCMOS Translator
MC100EPT21DT    3.3V Differential LVPECL/LVDS/CML to LVTTL/LVCMOS Translator
MC100EPT21DTG    3.3V Differential LVPECL/LVDS/CML to LVTTL/LVCMOS Translator
MC100EPT21DTG    3.3V Differential LVPECL/LVDS/CML to LVTTL/LVCMOS Translator
MC100EPT21DTR2    3.3V Differential LVPECL/LVDS/CML to LVTTL/LVCMOS Translator
 

MC100EPT21DR2G Datasheet, PDF More

MC100EPT21DR2G  规格：

传播延迟（最大值） 1.8ns
位数 1
供应商器件封装 8-SOIC N
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
工作温度 -40°C ~ 85°C
差分 - 输入:输出 是/无
数据速率 -
电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
输入类型 CML，LVDS，LVPECL
输出类型 LVTTL，LVCMOS
输出/通道数 1
通道数 1
逻辑功能 变换器

 
MC100EPT21DR2G
 
 
 
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