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合肥长鑫有望成全球第四大DRAM厂 17nm内存明年问世  (2020/8/27 12:19:53)

2020-08-26 标签: 存储  业界 来源:快科技

2019年在内存及闪存领域国内各有一个重大突破,长江存储量产了64层3D闪存,合肥长鑫则量产了DDR4内存,后者今年有望成为全球第四大DRAM内存芯片厂。在DRAM内存芯片市场上,三星SK海力士美光三大公司占据了95%以上的份额,以最新的Q2季度为例,三星一家就占44%左右,SK海力士占比约为30%,美光在21%左右,留给其他厂商的空间非常小。

目前全球第四大内存厂商是南亚科技,更早之前是华亚科,不过华亚科已经被美光全资收购了,第五位的南亚就晋升到了第四,但是份额占比约为3%而已,其产能不过7万片晶圆/月。


这也给了合肥长鑫一个快速超越的机会,Digitime爆料称今年底合肥长鑫的产能就有可能超过7万片晶圆/月,这意味着他们有望超越南亚成为全球第四大DRAM芯片厂。


当然,前面说了,就算长鑫真的做到了,这个第四其实跟前三的差距也非常大,TOP3厂商几乎是赢家通吃,产能远高于其他公司。


目前长鑫量产的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片主要还是19nm工艺的,相比三星等公司也要落伍2-3年时间,提升技术水平也是长鑫的关键。


好消息是,长鑫预计在2021年搞定17nm工艺内存芯片,差不多相当于业界的1Xnm工艺了,可以继续提升内存的存储密度。

根据之前的官方信息,以长鑫为代表的安徽半导体行业,在未来2-3年内将推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发,要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求,研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化。


依托DRAM  17nm及以下工艺,攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源(电压)技术、片内纠错编码(On-Die ECC)技术,完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。


根据资料,合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元,选址位于合肥空港经济示范区,占地面积约15.2平方公里,由长鑫12吋存储器晶圆制造基地(以下简称“基地”)、空港集成电路配套产业园、空港国际小镇三个片区组成。


其中,长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目是中国大陆第一个投入量产的DRAM设计制造一体化项目,也是安徽省单体投资最大的工业项目,总投资约1500亿元;空港集成电路配套产业园,位于基地以西,总投资超过200亿元;合肥空港国际小镇位于基地以北,规划土地面积9.2平方公里,规划总建筑面积420万平方米,总投资约500亿元。

 
 
 

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